买卖IC网 >> 产品目录 >> FF150R12YT3 IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

FF150R12YT3

库存数量：60
制造商：Infineon Technologies
描述：IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> IGBT 模块
描述 IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A
制造商 Infineon Technologies
产品 IGBT Silicon Modules
配置 Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO 1200 V
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流 200 A
栅极—射极漏泄电流
功率耗散
最大工作温度 + 125 C
封装 / 箱体 EASY2
封装
相关资料
属性
链接
代理商 FF150R12YT3
FF150R17ME3G
FF1N30HS60DD
FF1N30HS60DD_Q
FF200R06KE3
FF200R06KF2
供应商
公司名
电话
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深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697 雷春艳
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深圳市科宏特电子有限公司 18897698645 李瑞兵
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  • FF150R12YT3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 85.478 85.478
    10 78.992 789.92